报告：韩国半导体关键技术两年内全面落后于中国
韩国专家认为，在短短两年内，韩国在多个关键半导体技术领域已被中国全面反超，这一局面令韩国社会震惊。 根据韩国科学技术规划评价院（KISTEP）星期天（2月23日）发布的三大关键领域技术水平深度分析报告，它对39位国内专家进行的问卷调查结果显示，截至2024年，韩国半导体领域的技术基础能力在所有关键领域均全面落后于中国。 据调查结果，以最高技术领先国定为100%为基准，在高集成、电阻式存储器技术领域，韩国为90.9%，低于中国的94.1%，位居第二；在高性能、低功耗人工智能半导体技术领域，韩国为84.1%，也低于中国的88.3%。 此外，韩国与中国在功率半导体领域分别得分67.5%和79.8%；在下一代高性能传感技术领域分别为81.3%和83.9%，而在半导体先进封装技术领域，两国均为74.2%的评价。 韩国在技术研发、原创及设计领域落后于中国 从商业化角度看，韩国仅在高集成、电阻存储器技术和半导体先进封装技术领域领先于中国。 延伸阅读 韩媒报告：半导体除外 中国已全面超越韩国 韩国政府宣布投资260亿支持半导体业 值得注意的是，参与本次问卷调查的专家曾于2022年接受同项评估，当时他们认为韩国在高集成、电阻式存储器技术、半导体先进封装技术、下一代高性能传感技术等领域均被视为领先，但在短短两年后，局面已发生彻底逆转。 在针对半导体领域整体技术生命周期的问卷调查中，韩国虽然在工艺和量产方面领先于中国，但在技术研发、原创及设计领域则落后于中国。 报告指出，受日本高端与中国技术崛起、美国制裁、东南亚市场快速增长、特朗普政府上台以及韩国国内研发投入不足等多重不确定因素影响， 韩国半导体市场前景依然充满变数 。 据了解，中国长江存储（YMTC）近日成功批量生产294层NAND闪存产品。 相较于三星电子从128层跃升至286层所需约四年七个月的时间，中国仅用了约三年五个月便实现了从128层到294层的技术飞跃，这一成果标志着中国在存储器技术领域取得了显著突破。 韩国《亚洲经济》指出，中国技术快速进步，加之特朗普近期预告将在未来几周内对半导体等产品征收关税，使韩国在技术突破与贸易制裁的双重不利因素下面临严峻挑战。…